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廣東等離子設(shè)備使用方法

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表 8.2 Cl2 / CH4 / N2 / Ar 在不同流量比下的蝕刻結(jié)果運行編號Cl2 / sccm N:/sccm氬氣/sccm蝕刻率/（微米/分鐘）選擇性InP：SiO2有效值/納米1五0十1.113 28.7：1 > 25 2五3 7 0.493 11.5；1 18.22 3五五五0.407 13.0：1 15.88四五7 3 0.322 9.35：1 1.07五8 3五0.768 17.0：1 > 25 6 8五3 0.673 17.2：1 6.30上述方法均已在ICP機器上實施，早期的RIE機器已進行相關(guān)研究，研究壓力對磷化銦蝕刻的影響。

而我們居住的地球倒是例外的溫度較低的星球。此外，對于自然界中的等離子體，我們還可以列舉太陽、電離層、極光、雷電等。在人工生成等離子體的方法中，氣體放電法比加熱的辦法更加簡便高效，諸如熒光燈、霓虹燈、電弧焊、電暈放電等等。在自然和人工生成的各種主要類型的等離子體的密度和溫度的數(shù)值，其密度為106（單位：個／m3）的稀薄星際等離子體到密度為1025的電弧放電等離子體，跨越近20個數(shù)量級。

廣東等離子設(shè)備使用方法

在電解液等離子拋光技術(shù)環(huán)節(jié)中，廣東等離子設(shè)備使用方法拋光技術(shù)產(chǎn)生的金屬顆粒的電磁干擾不能用電導法檢測拋光液溶液濃度，為解決這一問題，在實驗基礎(chǔ)上提出了兩種確定拋光技術(shù)工藝中硫酸銨拋光液溶液濃度的方法。硫酸銨研磨液溶液濃度不超過2.5wt%后，研磨電流密度顯著下降，定期進行檢測研磨中的電流值和研磨液溫度，判斷是否需要補充硫酸銨。