3、低溫等離子表面技術(shù)成本低：設(shè)備簡單，表面改性碳化硅操作維護(hù)方便，用少量氣體代替昂貴的清洗液，無廢液處理成本。 4、低溫等離子表面技術(shù)的加工更精密。它可以穿透微孔和凹坑內(nèi)部完成清潔操作。 5、低溫等離子表面技術(shù)應(yīng)用廣泛：等離子表面處理技術(shù)應(yīng)用廣泛，可處理大部分固體。。等離子設(shè)備中常用的氣體是N2。這種蒸汽主要與在線等離子體結(jié)合使用，用于材料表面的表面活化和改性。可以在真空中使用。 N2對提高材料表面的潤濕性有一定的作用。

在線等離子體在清洗機(jī)等離子體中，表面改性碳化硅放電可產(chǎn)生處理硅油所需的活性基團(tuán)，控制轟擊硅油的離子能量。將等離子體反應(yīng)與離子轟擊效應(yīng)相結(jié)合可以改變硅油的結(jié)構(gòu)，得到具有光致發(fā)光特性的改性硅油或非晶態(tài)Si：C：O：H薄膜。。在線等離子清洗機(jī)系統(tǒng)設(shè)備的機(jī)械結(jié)構(gòu)與功能；等離子清洗機(jī)作為一種精密干洗設(shè)備，能有效去除IC封裝過程中的污染物，改善材料表面性能，提高材料表面能。

火焰處理后，表面改性碳化硅工件表面羰基的產(chǎn)生，提升了產(chǎn)品表面的極性，工件的表面張力能達(dá)到42~48dynes/cm，使得之后噴涂上去的底漆，能夠快速延展開的同時(shí)，又能與底漆中的聚丙烯基團(tuán)發(fā)生反應(yīng)，形成牢固的化學(xué)鍵，從而有效提升油漆的附著力。同時(shí)，基材表面張力的提升，也能使油漆能更好的鋪展在基材表面，從而提升油漆附著力。此方法快速簡便,缺點(diǎn)是耐老化性差,火焰處理工藝難以控制。

因此，高聚物表面改性處理的定義低溫等離子體處理后界面結(jié)合強(qiáng)度可明顯提高，而低溫等離子體處理制得的膠合板結(jié)合強(qiáng)度可達(dá)0.78MPa，提高20%，達(dá)到國家標(biāo)準(zhǔn)。這說明在粘接強(qiáng)度達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)的情況下，常壓低溫等離子體處理可以減少上膠量，降低了生產(chǎn)成本。 等離子體中的高能粒子高速撞擊木材表面，降解木材細(xì)胞壁中的高聚物。這些表面不規(guī)則的小刻痕增加了楊木的表面粗糙度，促進(jìn)了改性豆膠在楊木單板表面的滲透，增加了界面結(jié)合強(qiáng)度。

表面改性碳化硅

目前，上述粉末等離子體處理設(shè)備技術(shù)的實(shí)用或接近實(shí)用的應(yīng)用包括：聚合物表面活化，提高聚合物表面與其他材料的粘附性，如與著色劑或油漆的粘附；食品或藥品包裝用透明介質(zhì)阻隔膜，阻隔氧氣、水蒸氣或其他芳香氣體；可用于羊毛或天然纖維的防起球起毛處理，增加紡織品的透濕性；人造血管或?qū)Ч苡每顾ㄈ?、抗菌涂料；刀具硬化土層、氣液敏感膜元件等?！?/p>

在等離子體條件下，可以在產(chǎn)品工件表層實(shí)現(xiàn)聚合，甚至甲烷、乙烷、苯等傳統(tǒng)聚合條件下不能聚合的物質(zhì)，在plasam條件下可以在產(chǎn)品工件表層實(shí)現(xiàn)交聯(lián)聚合。這種高聚物層可以非常致密，并與基底結(jié)合得非常牢固。在國外塑料啤酒瓶和汽車油箱中，等離子體聚合在這樣一層致密層上，以防止微量泄漏。高聚物生物醫(yī)學(xué)材料的表層也可以根據(jù)這種致密層防止塑料中的增塑劑和其他有毒物質(zhì)擴(kuò)散到人體組織中。。

其中，有機(jī)旋涂多層掩模技術(shù)中使用的旋涂為碳?xì)渚酆衔?，有機(jī)材料的減反射層為含硅碳?xì)渚酆衔铮瑑烧呔鶠橐簯B(tài)，低溫烘烤形成固態(tài)掩模。之所以稱為軟掩模技術(shù)，是因?yàn)樗患傻焦饪虣C(jī)中，并且過程非?？臁Ｓ糜诟呒増D形材料的多層掩模也稱為硬掩模技術(shù)，因?yàn)樗鼈兪歉呒増D形材料（非晶碳膜）的化學(xué)氣相沉積作為抗反射層和電介質(zhì)（如氮氧化硅）膜。

由于H是輕離子，它不會(huì)像HE那樣蝕刻氮化硅膜，并且用于膜處理。電容耦合等離子刻蝕機(jī)可以通過調(diào)整偏置功率和注入時(shí)間來調(diào)整氮化硅表面膜層的氫濃度和注入深度。在氮化硅薄膜中，H的濃度與隨后的氫氟酸蝕刻速率密切相關(guān)。通過控制氮化硅膜中的氫濃度，實(shí)現(xiàn)了特性變化的氮化硅膜與體氮化硅膜之間的刻蝕選擇性。對于等離子框機(jī)刻蝕在硅鍺材料處停止的側(cè)壁刻蝕，這種原子層刻蝕方法可以控制6&ARING中的硅存儲損失。。

表面改性碳化硅

下圖顯示了碳化硅 SiC、氮化鎵 GaN、硅 Si 和砷化鎵 GaAs 的一些參數(shù)。 SiC GaN 和 GaN 之間的帶隙遠(yuǎn)大于 Si 和 GaAs 之間的帶隙，表面改性碳化硅相應(yīng)的本征載流子濃度小于 Si 和 GaAs 的帶隙。寬帶隙半導(dǎo)體的高工作溫度高于第一半導(dǎo)體。以及第二代半導(dǎo)體材料。介電擊穿電場強(qiáng)度和飽和熱導(dǎo)率也遠(yuǎn)高于Si和GaAs。

因此，表面改性碳化硅在一些合適的條件下，探針法只對等離子體產(chǎn)生較小的局部干擾。下圖顯示了一個(gè)探頭的電壓和電流的定義。在具體診斷過程中，探頭相對于地的偏置電壓為VB，而等離子體相對于地的電位為&phi；P.當(dāng)探針電壓Vb=&phi時(shí)；P，探針與等離子體處于同一電位，它收集的電流主要來自可移動(dòng)電子。