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廣東真空等離子表面處理機(jī)供應(yīng)

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1.4 粘接良好的粘合通常會(huì)因電鍍、粘合和焊接操作中的殘留物而減弱，這些殘留物可以通過(guò)等離子方法選擇性地去除。同時(shí)，氧化層也對(duì)鍵合質(zhì)量產(chǎn)生不利影響，需要等離子清洗。等離子表面處理設(shè)備的具體應(yīng)用：處理塑料、玻璃和陶瓷的表面活化和清洗。同時(shí)，玻璃和陶瓷表面的輕金屬污染可以用等離子法清洗。與燒灼相比，等離子處理不會(huì)損壞樣品。同時(shí)，它可以非常均勻地處理整個(gè)表面而不會(huì)產(chǎn)生有毒氣體，即使是有空洞和縫隙的樣品也是如此。。

廣東真空等離子體處理機(jī)供應(yīng)

將混合氣體導(dǎo)入噴槍，廣東真空等離子體處理機(jī)供應(yīng)使用充放電使混合氣體轉(zhuǎn)變成等離子，再將產(chǎn)生的等離子正確引導(dǎo)到要加工處理的物品的表面。噴槍結(jié)構(gòu)將感應(yīng)起電的電弧局限于在噴頭內(nèi)，此外噴頭也影響了所產(chǎn)生的等離子的幾何圖形樣式。

正確地說(shuō)，廣東真空等離子體處理機(jī)供應(yīng)過(guò)刻蝕過(guò)少會(huì)導(dǎo)致多晶硅柵極側(cè)壁底部的立足點(diǎn)，而過(guò)刻蝕過(guò)多會(huì)惡化頂部的頸縮效應(yīng)。等離子表面處理機(jī)的過(guò)刻蝕工藝采用HBr/O2刻蝕工藝，對(duì)柵控硅具有高刻蝕選擇性，但仍容易出現(xiàn)硅過(guò)孔（pitching）和硅損傷。 V 的形成通常是由于主刻蝕步驟中的過(guò)度刻蝕、與柵控氧化硅的接觸，或 HBr/O2 工藝優(yōu)化不足，導(dǎo)致刻蝕選擇性降低。